类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 电阻 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源电压-最小值(Vsup) | 配置 | 通道数量 | 模拟 IC - 其他类型 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 输出电流-最大值 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 无卤素 | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 下降时间(典型值) | 产品类别 | 晶体管类型 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大双电源电压 | 接口IC类型 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 双电源电压 | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 恢复时间 | 场效应管特性 | 漏源电阻 | 最大rds | 栅源电压 | 输出电流流向 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 电源电压1-最小值 | 电源电压1-最大值 | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HS8K1TB | ROHM Semiconductor | 数据表 | 3000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-UDFN Exposed Pad | YES | SILICON | 10A Ta 11A Ta | 2 | 150°C TJ | Cut Tape (CT) | 2017 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 无铅 | 未说明 | not_compliant | 未说明 | S-PDSO-N8 | COMPLEX | 增强型MOSFET | 排水源头 | 2W Ta | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 14.6m Ω @ 10A, 10V, 11.8m Ω @ 11A, 10V | 2.5V @ 1mA | 348pF 429pF @ 15V | 6nC, 7.4nC @ 10V | 30V | 10A | 0.02Ohm | 40A | 30V | 7.6 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ECH8651R-TL-H | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-SMD, Flat Lead | 8 | 4 μs | 2 | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | e6 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 1.4W | ECH8651R | 8 | Dual | 1.4W | 300 ns | 1.5W | 2 N-Channel (Dual) | 14m Ω @ 5A, 4.5V | 无卤素 | 24nC @ 10V | 1μs | 24V | 2.5 μs | 10A | 12V | 24V | 逻辑电平门 | 900μm | 2.9mm | 2.3mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN4026SSDQ-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 23 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 15.1 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1.3W | 5.3 ns | 2 N-Channel (Dual) | 24m Ω @ 6A, 10V | 3V @ 250μA | 1060pF @ 20V | 19.1nC @ 10V | 7.1ns | 40V | 4.8 ns | 7A | 20V | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDXB550UNEZ | Nexperia USA Inc. | 数据表 | 1235000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-XFDFN Exposed Pad | SILICON | 2 | -55°C~150°C TJ | Cut Tape (CT) | 2015 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | 285mW | 无铅 | 6 | IEC-60134 | R-PDSO-N6 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | 285mW | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 670m Ω @ 590mA, 4.5V | 950mV @ 250μA | 30.3pF @ 15V | 1.05nC @ 4.5V | 30V | 590mA | 0.59A | 0.9Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FC6946010R | Panasonic Electronic Components | 数据表 | 2500 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | 6 | SILICON | 2 | 100 ns | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 8541.21.00.95 | 125mW | FLAT | 未说明 | unknown | 未说明 | FC694601 | Dual | 增强型MOSFET | 125mW | 100 ns | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 12 Ω @ 10mA, 4V | 1.5V @ 1μA | 12pF @ 3V | 60V | 100mA | 1.2V | 12V | 0.1A | 15Ohm | 60V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 1.2 V | 500μm | 1.6mm | 1.2mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NVMFD5C674NLWFT1G | ON Semiconductor | 数据表 | 38000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 48 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | YES | SILICON | 11A Ta 42A Tc | 2 | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2013 | Automotive, AEC-Q101 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | Tin (Sn) | FLAT | 未说明 | not_compliant | 未说明 | R-PDSO-F6 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | DRAIN | 3W Ta 37W Tc | 2 N-Channel (Dual) | 14.4m Ω @ 10A, 10V | 2.2V @ 25μA | 640pF @ 25V | 4.7nC @ 4.5V | 60V | 0.0204Ohm | 119A | 60V | 61 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AO4627 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 4.5A 3.5A | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2W | N and P-Channel | 50m Ω @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 250μA | 210pF @ 15V | 5nC @ 10V | 30V | 3.5A | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD83325L | Texas Instruments | 数据表 | 6000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-XFBGA | 6 | SILICON | 2 | 711 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | NexFET™ | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 2.3W | BOTTOM | 无铅 | 260 | 未说明 | CSD83325 | Dual | 增强型MOSFET | 205 ns | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | SWITCHING | 1.25V @ 250μA | 10.9nC @ 4.5V | 353ns | 12V | 589 ns | 8A | 10V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 144 pF | 1.11mm | 2.16mm | 200μm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF7755TRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | 8-TSSOP | 3.9A | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2009 | HEXFET® | Obsolete | 1 (Unlimited) | SMD/SMT | 150°C | -55°C | 1W | IRF7755PBF | Dual | 1W | 1W | 2 P-Channel (Dual) | 51mOhm @ 3.7A, 4.5V | 1.2V @ 250μA | 1090pF @ 15V | 17nC @ 4.5V | 20V | -3.9A | -1.2V | 20V | -20V | -20V | 1.09nF | 逻辑电平门 | 51 mΩ | -1.2 V | 无SVHC | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMFD4901NFT3G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 1 day ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | 8 | SILICON | 10.3A 17.9A | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin (Sn) | 1.2W | FLAT | 8 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 排水源头 | 1.1W 1.2W | 2 N-Channel (Dual), Schottky | SWITCHING | 6.5m Ω @ 10A, 10V | 2.2V @ 250μA | 1150pF @ 15V | 9.7nC @ 4.5V | 30V | 17.9A | 20V | 13.5A | 0.0035Ohm | 100A | 30V | 115 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6802SDTRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | DirectFET™ Isometric SA | 8 | 13 ns | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 1.7W | 1.7W | 9.7 ns | 2 N-Channel (Dual) | 4.2m Ω @ 16A, 10V | 2.1V @ 35μA | 1350pF @ 13V | 13nC @ 4.5V | 50ns | 25V | 23 ns | 16A | 16V | 57A | 25V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PHN210T,118 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | SILICON | 2 | 21 ns | -65°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2010 | TrenchMOS™ | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 逻辑电平兼容 | 2W | 鸥翼 | 260 | 30 | 8 | Dual | 增强型MOSFET | 2W | 6 ns | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 100m Ω @ 2.2A, 10V | 2.8V @ 1mA | 250pF @ 20V | 6nC @ 10V | 8ns | 15 ns | 2.4A | 2V | MS-012AA | 20V | 30V | 3.4A | 0.1Ohm | 30V | 14A | 30V | 13 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 2 V | 1.45mm | 5mm | 4mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N7002KDW_R1_00001 | PANJIT International | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-363-6 | YES | SOT-363 | 6 | SILICON | 60 V | 20 ns | 2.5 V | 200 mW | N-Channel | + 150 C | - 20 V, + 20 V | 0.000265 oz | - 55 C | 3000 | SMD/SMT | Panjit International Inc. | 100 mS | Enhancement | Panjit | Panjit | 800 pC | 3 Ohms | Details | 40 ns | 115 mA | Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®; | 115mA (Ta) | 活跃 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | 0.115 A | 5.53 | PAN JIT INTERNATIONAL INC | 活跃 | 2 | RECTANGULAR | 2N7002KDW_R1_00001 | -55°C ~ 150°C (TJ) | MouseReel | NFET-035TS | 超低电阻 | MOSFETs | Si | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | R-PDSO-G6 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 2 Channel | 增强型MOSFET | 200mW (Ta) | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 3Ohm @ 500mA, 10V | 2.5V @ 250µA | 35pF @ 25V | 0.8nC @ 4.5V | 60V | N-CHANNEL | MOSFET | 1 N-Channel | 3 Ω | 60 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | 5 pF | MOSFET | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2SB808F-SPA | Sanyo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Sanyo | Bulk | 活跃 | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSL207NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6 | SILICON | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2013 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 雪崩 额定 | 500mW | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 500mW | 2 N-Channel (Dual) | 70m Ω @ 2.1A, 4.5V | 1.2V @ 11μA | 无卤素 | 419pF @ 10V | 2.1nC @ 4.5V | 2.8ns | 2.1A | 12V | 20V | 0.07Ohm | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Logic Level Gate, 2.5V Drive | 24 pF | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SH8K32GZETB | ROHM Semiconductor | 数据表 | 15000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 4.5A Ta | 150°C TJ | Cut Tape (CT) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 未说明 | 未说明 | 1.4W Ta | 2 N-Channel (Dual) | 65m Ω @ 4.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 500pF @ 10V | 10nC @ 5V | 60V | Standard | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AON6884 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-PowerSMD, Flat Leads | 8 | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1.6W | 21W | 2 N-Channel (Dual) | 11.3m Ω @ 10A, 10V | 2.7V @ 250μA | 1950pF @ 20V | 33nC @ 10V | 40V | 9A | 20V | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PMDPB70XPE,115 | Nexperia USA Inc. | 数据表 | 9000 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 6-UDFN Exposed Pad | 6 | 33 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | Tin (Sn) | 515mW | 6 | 2 | Dual | 7 ns | 2 P-Channel (Dual) | 79m Ω @ 2A, 4.5V | 1.25V @ 250μA | 600pF @ 10V | 7.5nC @ 4.5V | 16ns | 20V | 15 ns | 3A | -1V | -20V | -20V | 逻辑电平门 | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | DMC3400SDW-13 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6 | SILICON | 650mA 450mA | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 310mW | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | N and P-Channel | SWITCHING | 400m Ω @ 590mA, 10V | 1.6V @ 250μA | 55pF @ 15V | 1.4nC @ 10V | 30V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 450mA | 0.4Ohm | 30V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Standard | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NTMFD5C466NLT1G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 48 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 5 days ago) | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | 14A Ta 52A Tc | -55°C~175°C TJ | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | Tin (Sn) | 未说明 | 未说明 | 3W Ta 40W Tc | 2 N-Channel (Dual) | 7.4m Ω @ 10A, 10V | 2.2V @ 30μA | 997pF @ 25V | 16nC @ 10V | 40V | Standard | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD88599Q5DCT | Texas Instruments | 数据表 | 60 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 6 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | 表面贴装 | 22-PowerTFDFN | YES | 22 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | NexFET™ | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 22 | Matte Tin (Sn) | DUAL | 无铅 | 1 | not_compliant | CSD88599 | 54V | 12W | 2 N-Channel (Half Bridge) | 2.1m Ω @ 30A, 10V | 2.5V @ 250μA | 4840pF @ 30V | 27nC @ 4.5V | 60V | 基于半桥的外设驱动器 | Standard | 水槽 | 4.5V | 16V | 6mm | 5mm | 850μm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BSO207PHXUMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | SILICON | 5A | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2010 | OptiMOS™ | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Tin (Sn) | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | BSO207 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 1.6W | 2 P-Channel (Dual) | 45m Ω @ 5.7A, 4.5V | 1.2V @ 44μA | 1650pF @ 15V | 16nC @ 4.5V | 20V | 5A | 0.045Ohm | 22.8A | 20V | 44 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSD88584Q5DC | Texas Instruments | 数据表 | 30000 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | 表面贴装 | 22-PowerTFDFN | YES | 22 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | NexFET™ | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 22 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | DUAL | 无铅 | 260 | 1 | 10V | not_compliant | 未说明 | CSD88584 | 16V | 4.5V | 无刷直流电机控制器 | 12W | 2 N-Channel (Half Bridge) | 50A | 0.95m Ω @ 30A, 10V | 2.3V @ 250μA | 12400pF @ 20V | 88nC @ 4.5V | 40V | Standard | 6mm | 5mm | 850μm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ZXMC10A816N8TC | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 17 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 73.992255mg | SILICON | 2 | 20 ns | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1.8W | DUAL | 鸥翼 | 260 | 40 | 8 | 增强型MOSFET | 2.1W | 4.3 ns | N and P-Channel | SWITCHING | 230m Ω @ 1A, 10V | 2.4V @ 250μA | 497pF @ 50V | 9.2nC @ 10V | 5.2ns | 100V | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 12 ns | 2A | 20V | 1.7A | 100V | 9.4A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 1.5mm | 4.95mm | 3.95mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFI4024H-117P | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-220-5 Full Pack | 5 | TO-220-5 Full-Pak | 11A | 13 ns | -55°C~150°C TJ | Tube | 2006 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 60MOhm | 150°C | -55°C | 14W | Dual | 14W | 5.9 ns | 14W | 2 N-Channel (Dual) | 60mOhm @ 7.7A, 10V | 4V @ 25μA | 320pF @ 50V | 13nC @ 10V | 2ns | 55V | 3.4 ns | 11A | 4V | 20V | 55V | 320pF | 26 ns | Standard | 60mOhm | 60 mΩ | 4 V | 9.8mm | 10.6172mm | 4.826mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 |
HS8K1TB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
1.284420
ECH8651R-TL-H
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DMN4026SSDQ-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
PMDXB550UNEZ
Nexperia USA Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
7.213975
FC6946010R
Panasonic Electronic Components
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NVMFD5C674NLWFT1G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
17.261287
AO4627
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
CSD83325L
Texas Instruments
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2.888662
IRF7755TRPBF
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
NTMFD4901NFT3G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRF6802SDTRPBF
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
PHN210T,118
Nexperia USA Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2N7002KDW_R1_00001
PANJIT International
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2SB808F-SPA
Sanyo
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BSL207NH6327XTSA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SH8K32GZETB
ROHM Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
2.140701
AON6884
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
PMDPB70XPE,115
Nexperia USA Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
3.675793
DMC3400SDW-13
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
0.849988
NTMFD5C466NLT1G
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
CSD88599Q5DCT
Texas Instruments
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BSO207PHXUMA1
Infineon Technologies
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
CSD88584Q5DC
Texas Instruments
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
ZXMC10A816N8TC
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRFI4024H-117P
Infineon Technologies
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